घर > समाचार > सफलता! किओक्सियाले १ -०-लेयर NAND फ्ल्यास मेमोरी उत्पादनहरू विकसित गर्यो

सफलता! किओक्सियाले १ -०-लेयर NAND फ्ल्यास मेमोरी उत्पादनहरू विकसित गर्यो

जापानी चिप निर्माता किओक्सियाले एनएएनडी फ्ल्यास मेमोरीको करीव १ la० तहहरू विकास गरेको छ र माइक्रोन र एसके हिनिक्ससँग मिलेर यो अत्याधुनिक प्रविधि प्राप्त गरेको छ।


निक्केई एशियाई समीक्षाले रिपोर्ट गरेको छ कि यो नयाँ NAND मेमोरी संयुक्त रूपमा वेस्टर्न डिजिटल, एक अमेरिकी साझेदारको साथ विकसित गरिएको थियो र यसको डाटा लेख्ने गति Kioxia को वर्तमान शीर्ष उत्पादन (११२ तह) भन्दा दुई गुणा बढी छ।

थप रूपमा, किओक्सियाले सफलतापूर्वक नयाँ NAND को प्रत्येक लेयरमा बढी मेमोरी सेलहरू स्थापना गरेको छ, जसको अर्थ समान क्षमताको मेमोरीसँग तुलना गर्दा यसले चिपलाई 30०% भन्दा बढी संकुचन गर्न सक्दछ। सानो चिप्सले स्मार्ट फोन, सर्भर र अन्य उत्पादनहरूको निर्माणमा अधिक लचिलोपन प्रदान गर्दछ।

यो रिपोर्ट छ कि Kioxia को लागी चलिरहेको अन्तर्राष्ट्रिय सॉलिड-राज्य सर्किट सम्मेलन मा आफ्नो नयाँ NAND प्रक्षेपण गर्ने योजना छ, र अर्को वर्ष भन्दा चाँडो सामूहिक उत्पादन सुरु हुने अपेक्षा गरिएको छ।

G जी टेक्नोलोजीको बृद्धि भई र बृहत मापन र द्रुत डाटा ट्रान्समिशनको साथ, किओक्सिया डाटा केन्द्रहरू र स्मार्ट फोनसँग सम्बन्धित माग ट्याप गर्ने आशा गर्दछ। यद्यपि यस क्षेत्रमा प्रतिस्पर्धा तीव्र भएको छ। माइक्रोन र SK Hynix Kioxia भन्दा पहिले 176-लेयर NAND घोषणा गरेको छ।

फ्ल्याश मेमोरीको उत्पादन वृद्धि गर्न किओक्सिया र वेस्टर्न डिजिटलले यो वसन्तमा जापानको योक्काचीमा १ ट्रिलियन येन ($ ..45 अर्ब डलर) कारखाना निर्माण गर्ने योजना बनायो। उनीहरूको लक्ष्य २०२२ मा पहिलो उत्पादन लाइनहरू खोल्ने हो। यसका साथै, किओक्सियाले जापानको किटाकमी कारखानाको छेउमा धेरै कारखानाहरू पनि अधिग्रहण गरिसकेको छ ताकि भविष्यमा आवश्यकता अनुसार उत्पादन क्षमता विस्तार गर्न सकियोस्।